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| 取样光栅分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-16, 2010-08-12
发明人: 刘泓波; 赵玲娟; 潘教青 ; 朱洪亮; 王 圩
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| 自离子注入硅波导光吸收的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 曾凡平
Adobe PDF(2107Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1098/23 | 提交时间：2009/04/13 |
| AlN 晶体的离子注入掺杂及缺陷研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 李巍巍
Adobe PDF(859Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1197/42 | 提交时间：2009/04/13 |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 曾凡平; 韩培德; 高利朋; 冉启江; 毛雪; 赵春华; 米艳红
Adobe PDF(323Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1450/437 | 提交时间：2010/11/23 |
| 稀土复合离子注入发光材料制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-04-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张建国; 王晓欣; 成步文; 余金中; 王启明
Adobe PDF(395Kb) | 收藏 | 浏览/下载：1161/204 | 提交时间：2009/06/11 |
| 微电子与光电子集成技术 专著
北京:电子工业出版社, 2008
作者: 陈弘达
JPEG(22Kb) | 收藏 | 浏览/下载：3657/803 | 提交时间：2009/09/19 |
| 半导体硅衬底上氧化铝介电薄膜硅离子注入腐蚀方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-06-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王启元; 王俊; 王建华
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| 离子注入砷化镓吸收镜 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-04-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 马晓宇; 王勇刚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Hu LJ (Hu Liang-Jun); Chen YH (Chen Yong-Hai); Ye XL (Ye Xiao-Ling); Wang ZG (Wang Zhan-Guo); Hu, LJ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: liangjun_hu@yahoo.com.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡良均; 陈涌海; 叶小玲; 王占国
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