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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xiu-Wen);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Chang K (Chang Kai);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zheng ZS;  Liu ZL;  Zhang GQ;  Li N;  Fan K;  Zhang EX;  Yi WB;  Chen M;  Wang X;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Microelect R&D Ctr, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zszheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  李宁;  张国强;  刘忠立;  范楷;  郑中山;  林青;  张正选;  林成鲁
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  张国强;  刘忠立;  李宁;  范楷;  郑中山;  张恩霞;  易万兵;  陈猛;  王曦
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  郑中山;  刘忠立;  张国强;  李宁;  范楷;  张恩霞;  易万兵;  陈猛;  王曦
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Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Zheng, ZS;  Liu, ZL;  Zhang, GQ;  Li, N;  Fan, K;  Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Li, N;  Zhang, GQ;  Liu, ZL;  Fan, K;  Zheng, ZS;  Lin, Q;  Zhang, ZX;  Lin, CL;  Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Simox  Fluorine  Ionizing Radiation