中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共31条，第1-10条 帮助

限定条件                
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen L;  Yan S;  Xu PF;  Lu J;  Wang WZ;  Deng JJ;  Qian X;  Ji Y;  Zhao JH;  Zhao, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jhzhao@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(483Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1233/424  |  提交时间：2010/03/08
无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵有文;  苗杉杉;  董志远;  吕小红;  邓爱红;  杨俊;  王博
Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：875/252  |  提交时间：2010/11/23
一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵建华;  邓加军;  毕京峰;  牛智川;  杨富华;  吴晓光;  郑厚植
Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1349/141  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  甘巧强;  朱晓鹏;  潘学俭;  邓捷;  宋国锋;  陈良惠
Adobe PDF(262Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：981/322  |  提交时间：2010/11/23
硅基光子集成的器件及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-11-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  黄昌俊;  邓晓清;  成步文;  王红杰;  杨沁清;  余金中;  胡雄伟;  王启明
Adobe PDF(487Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1448/218  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang QL;  Feng BH;  Zhang DX;  Fu PM;  Zhang ZG;  Zhao ZW;  Deng PZ;  Jun X;  Xu XD;  Wang YG;  Ma XY;  Zhang QL,Chinese Acad Sci,Inst Phys,Lab Opt Phys,Beijing 100080,Peoples R China.
Adobe PDF(393Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：919/309  |  提交时间：2010/08/12
硅基二氧化硅阵列波导光栅的优化设计及其偏振性能的数值模拟 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2003
作者:  邓晓清
Adobe PDF(3417Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：791/19  |  提交时间：2009/04/13
采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
Adobe PDF(356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1368/216  |  提交时间：2009/06/11
Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:  Deng X;  Wang W;  Han S;  Povolny H;  Du W;  Liao X;  Xiang X;  Liao X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1571/437  |  提交时间：2010/11/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng X;  Wang W;  Han S;  Povolny H;  Du W;  Liao X;  Xiang X;  Liao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：994/302  |  提交时间：2010/08/12