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4H-SiC的外延生长及后处理工艺的研究 学位论文
工程硕士, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2023
作者:  陈俊宏
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4H-SiC基AlN栅介质原子层沉积生长研究 学位论文
, 中国科学院半导体研究所: 中国科学院大学, 2019
作者:  陈俊
Adobe PDF(13269Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：511/8  |  提交时间：2019/11/19
异质掩埋激光器的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010196147.4, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王宝军;  朱洪亮;  赵玲娟;  王圩;  潘教青;  陈娓兮;  梁松;  边静;  安心;  王伟
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