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| 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 林涛; 江李; 陈芳; 刘素平; 潭满清; 王国宏; 韦欣; 马骁宇
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| 低生长温度下提高化合物半导体中n型掺杂浓度的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 马骁宇
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| 一种用于低能离子束材料制备方法的离子源装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 杨少延; 刘志凯; 柴春林; 蒋渭生
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 孙永伟; 马文全 ; 杨晓杰; 屈玉华; 侯识华; 江德生; 孙宝权; 陈良惠
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 江李; 林涛; 韦欣; 王国宏; 张广泽; 张洪波; 马骁宇; 李献杰
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 徐晓华; 牛智川; 倪海桥; 徐应强; 张纬; 贺正宏; 韩勤; 吴荣汉; 江德生
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Xu XH; Niu ZC; Ni HQ; Xu YQ; Zhang W; He ZH; Han Q; Wu RH; Jiang DS; Niu, ZC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: zcniu@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 姜永睿; 胡雄伟; 杨沁清; 王红杰; 杨澜; 郑金红; 谢二庆
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 江鹏飞; 张静娟; 赵伟瑞; 谢福增
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 江鹏飞; 赵伟瑞; 张静娟; 谢福增
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