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含高掺杂隧道结的垂直腔面发射激光器 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-04, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王青;  何国荣;  渠红伟;  韦欣;  宋国峰;  陈良惠
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一种新型键合用晶向对准装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-11-08, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈良惠;  郑婉华;  杨国华;  何国荣;  王玉平;  曹青;  郭良;  林学春
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一种利用激光对准晶片晶向的方法及装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈良惠;  郑婉华;  杨国华;  何国荣;  王玉平;  曹青;  郭良;  林学春
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铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-01-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  林涛;  江李;  陈芳;  刘素平;  潭满清;  王国宏;  韦欣;  马骁宇
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高效发光二极管及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 1999-07-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王国宏;  马骁宇;  曹青;  王树堂;  李玉璋;  陈良惠
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氮化镓基发光二极管电流阻挡层的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214743A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  郭恩卿;  伊晓燕;  汪炼成;  孙波;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管隐形电极的制作方法 专利
专利类型: 发明, 专利号:  CN102208502A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  詹腾;  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
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应用石墨烯薄膜电流扩展层的氮化镓基垂直结构LED 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214753A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  张逸韵;  汪炼成;  郭恩卿;  孙波;  伊晓燕;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管桥联电极制备方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251507.6, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  郭恩卿;  刘志强;  汪炼成;  伊晓燕;  王莉;  王国宏
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氮化镓基垂直结构发光二极管转移衬底的二次电镀方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010251510.8, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  汪炼成;  郭恩卿;  刘志强;  伊晓燕;  王国宏
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