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一种改善ZnO薄膜欧姆接触的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-03-31, 2010-08-12
发明人:  张兴旺;  蔡培锋;  游经碧;  范亚明;  高 云;  陈诺夫
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong JJ (Dong J. J.);  Zhang XW (Zhang X. W.);  You JB (You J. B.);  Cai PF (Cai P. F.);  Yin ZG (Yin Z. G.);  An Q (An Q.);  Ma XB (Ma X. B.);  Jin P (Jin P.);  Wang ZG (Wang Z. G.);  Chu PK (Chu Paul K.);  Zhang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail Address: xwzhang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma JL (Ma J. L.);  Xiong B (Xiong B.);  Guo L (Guo L.);  Zhao PF (Zhao P. F.);  Zhang L (Zhang L.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.);  Duanmu QD (Duanmu Q. D.);  Ma, JL, Changchun Univ Sci & Technol, Changchun 130022, Jilin, Peoples R China. E-mail Address: custmjl@163.com
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