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在锗衬底上生长无反相畴砷化镓薄膜的分子束外延方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-01-13, 2010-08-12
发明人:  王鹏飞;  吴东海;  吴兵朋;  熊永华;  詹 峰;  黄社松;  倪海桥;  牛智川
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Meng KK (Meng K. K.);  Lu J (Lu J.);  Wang SL (Wang S. L.);  Meng HJ (Meng H. J.);  Zhao JH (Zhao J. H.);  Misuraca J (Misuraca J.);  Xiong P (Xiong P.);  von Molnar S (von Molnar S.)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Misuraca J (Misuraca Jennifer);  Trbovic J (Trbovic Jelena);  Lu J (Lu Jun);  Zhao JH (Zhao Jianhua);  Ohno Y (Ohno Yuzo);  Ohno H (Ohno Hideo);  Xiong P (Xiong Peng);  von Molnar S (von Molnar Stephan)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma JL (Ma J. L.);  Xiong B (Xiong B.);  Guo L (Guo L.);  Zhao PF (Zhao P. F.);  Zhang L (Zhang L.);  Lin XC (Lin X. C.);  Li JM (Li J. M.);  Duanmu QD (Duanmu Q. D.);  Ma, JL, Changchun Univ Sci & Technol, Changchun 130022, Jilin, Peoples R China. E-mail Address: custmjl@163.com
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