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一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓亮;  冉军学;  李建平;  胡国新;  王军喜;  曾一平;  李晋闽
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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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