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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang L;  Zhao L;  Pan J;  Zhang W;  Wang H;  Zhu H;  Wang W;  Wang L Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lswang@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG;  Jiang DS;  Liu ZS;  Zhu JJ;  Wang H;  Zhang SM;  Yang H;  Zhao DG Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelect POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, ZJ;  Qu, SC;  Zeng, XB;  Liu, JP;  Zhang, CS;  Tan, FR;  Jin, L;  Wang, ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: qsc@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wu, YL;  Zhang, LW;  Xie, GL;  Zhu, JL;  Chen, YH;  Zhang, LW, Tsing Hua Univ, Dept Phys, Adv Mat Lab, Beijing 100084, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwzhang@tsinghua.edu.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yao F (Yao Fei);  Xue CL (Xue Chun-Lai);  Cheng BW (Cheng Bu-Wen);  Wang QM (Wang Qi-Ming);  Yao, F, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: sindy-yf@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DL (Li Dong-Lin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: ldl@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Lian P (Lian Peng);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Wang Q (Wang Qing);  Wu XM (Wu Xu-Ming);  He GR (He Guo-Rong);  Li H (Li Hui);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Song GF (Song Guo-Feng);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Cao, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: caoyl@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ran JX;  Wang XL;  Hu GX;  Wang JX;  Li JP;  Wang CM;  Zeng YP;  Li JM;  Ran, JX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: jxran@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DL (Li Dong-Lin);  Zeng YP (Zeng Yi-Ping);  Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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Effects of polarization field on formation of two-dimensional electron gas in (0001) and (11(2)over-bar0) plane AlGaN/GaN heterostructures 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:  Chen Z;  Chua SJ;  Yuan HR;  Liu XL;  Lu DC;  Han PD;  Wang ZG;  Chen Z Singapore MIT Alliance AMMNS E4-04-10NUS4 Engn Dr3 Singapore 117576 Singapore. 电子邮箱地址: smacz@nus.edu.sg
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Metalorganic Chemical Vapor Deposition  Semiconducting Iii-v Materials  Doped Al(x)Ga1-xn/gan Heterostructures  Carrier Confinement  Effect Transistors  Photoluminescence  Mobility  Heterojunction  Interface  Hfets