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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong HW;  Zhao YW;  Li JM;  Dong HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang YQ;  Chen WD;  Liao XB;  Cao ZX;  Cao ZX,State Key Lab Surface Phys,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen J;  Zhang SM;  Zhang BS;  Zhu JJ;  Feng G;  Duan LH;  Wang YT;  Yang H;  Zheng WC;  Chen J,Sichuan Univ,Dept Mat Sci,Chengdu 610064,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Dong ZY;  Zhao YW;  Zeng YP;  Duan ML;  Sun WR;  Jiao JH;  Lin LY;  Dong ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wei WS;  Wang TM;  Zhang CX;  Li GH;  Li YX;  Wei WS,Beijing Univ Aeronaut & Astronaut,Sch Sci,Ctr Mat Phys & Chem,Sch Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Growth and photoluminescence of InAlGaN films 会议论文
5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NITRIDE SEMICONDUCTORS (ICNS-5), PROCEEDINGS, NARA, JAPAN, MAY 25-30, 2003
作者:  Li DB;  Dong X;  Huang JS;  Liu XL;  Xu ZY;  Wang ZG;  Li DB Chinese Acad Sci Inst Semicond Key Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Multiple-quantum Wells  Quaternary Alloys  Optical-properties  
High-mobility Ga-polarity GaN achieved by NH3-MBE 会议论文
GAN AND RELATED ALLOYS-2002, 743, BOSTON, MA, DEC 02-06, 2002
作者:  Wang JX;  Wang XL;  Sun DZ;  Li JM;  Zeng YP;  Hu GX;  Liu HX;  Lin LY;  Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond Mat Ctr POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  Ion-scattering Spectroscopy  Lattice Polarity  Single-crystals  Films  Polarization  Gan(0001)  Surfaces  Growth  Diodes  
Microstructure of the silicon film prepared near the phase transition regime from amorphous to nanocrystalline 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zhang SB;  Liao XB;  Xu YY;  Hu ZH;  Zeng XB;  Diao HW;  Luo MC;  Kong G;  Zhang SB Chinese Acad Sci Inst Semicond Ctr Condensed State Phys State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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Polymorphous Silicon  Light-scattering  Thin-films  Si  Microcrystallinity  Absorption  States  
Polymorphous silicon nanowires synthesized by plasma-enhanced chemical vapor deposition 会议论文
QUANTUM CONFINED SEMICONDUCTOR NANOSTRUCTURES, 737, BOSTON, MA, DEC 02, 2001-DEC 05, 2002
作者:  Zeng XB;  Liao XB;  Diao HW;  Hu ZH;  Xu YY;  Zhang SB;  Chen CY;  Chen WD;  Kong GL;  Zeng XB Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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Laser-ablation  Semiconductor Nanowires  Growth  Mechanism  Evaporation  Diameter  Wires  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Chen YH;  Yang SY;  Zhang FQ;  Ma BS;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Zhang XP;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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