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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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2001 [71]
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发表日期:2001
语种:英语
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无权访问的条目
期刊论文
作者:
Xu SJ
;
Or CT
;
Li Q
;
Zheng LX
;
Xie MH
;
Tong SY
;
Yang H
;
Xu SJ,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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浏览/下载:956/295
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提交时间:2010/08/12
Observation of deep electron states in n-type Al-doped ZnS1-xTex grown by molecular beam epitaxy
会议论文
SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, VOLS 1 AND 2, PROCEEDINGS, SHANGHAI, PEOPLES R CHINA, OCT 22-25, 2001
作者:
Lu LW
;
Ge WK
;
Sou IK
;
Wang J
;
Lu LW Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1502/306
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提交时间:2010/10/29
Znste
Thermodynamic analysis of GaSb-GaCl3 vapor phase epitaxy
会议论文
FIRST INTERNATIONAL SYMPOSIUM ON MICROGRAVITY RESEARCH & APPLICATIONS IN PHYSICAL SCIENCES AND BIOTECHNOLOGY, VOLS I AND II, PROCEEDINGS, 454, SORRENTO, ITALY, SEP 10-15, 2000
作者:
Lu DC
;
Lin LY
;
Lu DC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1079/164
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提交时间:2010/10/29
Transport
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Yang JL
;
Chen NF
;
Liu ZK
;
Yang SY
;
Chai CL
;
Liao MY
;
He HJ
;
Chen NF,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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浏览/下载:881/325
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提交时间:2010/08/12
Effects of annealing time and Si cap layer thickness on the Si/SiGe/Si heterostructures thermal stability
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Gao F
;
Lin YX
;
Huang DD
;
Li JP
;
Sun DZ
;
Kong MY
;
Zeng YP
;
Li JM
;
Lin LY
;
Gao F Chinese Acad Sci Ctr Mat Sci Inst Semicond Beijing 10083 Peoples R China.
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浏览/下载:1769/419
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提交时间:2010/11/15
Annealing
Molecular Beam Epitaxy
Germanium Silicon Alloys
Semiconducting Materials
Strain Relaxation
High-quality GaN grown by gas-source MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Wang JX
;
Sun DZ
;
Wang XL
;
Li JM
;
Zeng YP
;
Hou X
;
Lin LY
;
Wang JX Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Characterization
Molecular Beam Epitaxy
Gallium Compounds
Nitrides
Piezoelectric Materials
Semiconducting Gallium Compounds
Molecular-beam Epitaxy
Heterostructures
Sapphire
Diodes
Current-induced migration of surface adatoms during GaN growth by molecular beam epitaxy
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Zheng LX
;
Xie MH
;
Xu SJ
;
Cheung SH
;
Tong SY
;
Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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浏览/下载:1204/243
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提交时间:2010/11/15
Surface Processes
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Semiconducting Gallium Compounds
Gan(0001) Surfaces
Reconstructions
Epitaxial growth of SiC on complex substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Sun GS
;
Li JM
;
Luo MC
;
Zhu SR
;
Wang L
;
Zhang FF
;
Lin LY
;
Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1309/261
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提交时间:2010/11/15
Optical Microscopy
X-ray Diffraction
Molecular Beam Epitaxy
Semiconducting Silicon Compounds
Sapphire
Deposition
Films
Hydrogen behavior in GaN epilayers grown by NH3-MBE
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Kong MY
;
Zhang JP
;
Wang XL
;
Sun DZ
;
Kong MY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1310/345
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提交时间:2010/11/15
Impurities
Molecular Beam Epitaxy
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Gallium Nitride
Sapphire Substrate
Defects
Heterostructure
Semiconductors
Stress
Orientation relationship between hexagonal inclusions and cubic GaN grown on GaAs(001) substrates
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 227, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 11-15, 2000
作者:
Qu B
;
Zheng XH
;
Wang YT
;
Xu DP
;
Lin SM
;
Yang H
;
Liang JW
;
Qu B Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Integrated Optoelectron POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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浏览/下载:1673/385
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提交时间:2010/11/15
X-ray Diffraction
Nitrides
Semiconducting Iii-v Materials
Phase
Films