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| High brightness InAs/GaAs quantum dot tapered laser at 1.3 mu m with high temperature stability 会议论文 Proceedings of SPIE-The International Society for Optical Engineering vol.7844: Art. No. 784404 2010, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-19, 2010 作者: Cao YL (Cao Yu-Lian); Xu PF (Xu Peng-fei); Ji HM (Ji Hai-Ming); Yang T (Yang Tao); Chen LH (Chen Liang-Hui) Adobe PDF(374Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2388/561  |  提交时间:2011/07/14 |
| 通过腔面镀膜来提高量子点激光器温度特性的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910088813.X, 公开日期: 2011-08-31, 2011-08-31, 2011-08-31 发明人: 曹玉莲; 杨涛 Adobe PDF(388Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1181/141  |  提交时间:2011/08/31 |
| 甚长波InAs/GaSb二类超晶格红外探测器材料的制备方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 卫炀; 马文全; 张艳华; 曹玉莲 Adobe PDF(715Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:2233/82  |  提交时间:2014/10/31 |
| Ⅱ类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-04 发明人: 张艳华; 马文全; 曹玉莲 Adobe PDF(927Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:657/88  |  提交时间:2014/10/31 |
| InAs/GaSb二类超晶格红外探测器 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 黄建亮; 马文全; 张艳华; 曹玉莲 Adobe PDF(479Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1397/104  |  提交时间:2014/10/31 |
| 钝化InAs/GaSb二类超晶格红外探测器制作方法 专利 专利类型: 发明, 公开日期: 2012-07-11 发明人: 曹玉莲; 马文全; 张艳华 Adobe PDF(607Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1395/77  |  提交时间:2014/10/31 |