已选(0)清除
条数/页: 排序方式: |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: G.G. Yan; Y.W. He; Z.W. Shen; Y.X. Cui; J.T. Li; W.S. Zhao; L. Wang; X.F. Liu; F. Zhang; G.S. Sun; Y.P. Zeng Adobe PDF(1992Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:0/0  |  提交时间:2021/11/26 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: G.G. Yan ; X.F. Liu ; Z.W. Shen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; Y.X. Cui ; J.T. Li ; F. Zhang ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng Adobe PDF(1446Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:46/0  |  提交时间:2020/07/31 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: G.G. Yan ; X.F. Liu ; Z.W. Shen ; Z.X. Wen ; J. Chen ; W.S. Zhao ; L. Wang ; F. Zhang ; X.H. Zhang ; X.G. Li ; G.S. Sun ; Y.P. Zeng ; Z.G. Wang Adobe PDF(781Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:55/0  |  提交时间:2020/08/04 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: 谭晓宇; 杨少延; 李辉杰 Adobe PDF(3684Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:183/3  |  提交时间:2018/05/23 |
| 基于ART技术的硅基III-V族材料及器件研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2016 作者: 李士颜 Adobe PDF(15932Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:849/63  |  提交时间:2016/06/02 高深宽比限制技术 选区外延技术 Si基iii-v族异质外延 Si基高迁移率iii-v族mosfet 纳米激光器 |
| 无权访问的条目 期刊论文 作者: Fan S, Qin Z, He C, Hou M, Wang X, Shen B, Li W, Wang W, Mao D, Jin P, Yan J, Dong P. Adobe PDF(935Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:542/106  |  提交时间:2014/03/18 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1532/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1430/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽 Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1452/223  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1125/184  |  提交时间:2012/09/09 |