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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中科院半导体照明研... [18]
作者
杨华 [1]
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2016 [1]
2015 [1]
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专题:中科院半导体照明研发中心
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期刊论文
作者:
K.C. Wang
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G.D.Yuan n
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R.W.Wu
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H.X.Lu
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Z.Q.Liu
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T.B.Wei
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J.X.Wang
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J.M.Li
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W.J.Zhang
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提交时间:2017/03/16
无权访问的条目
期刊论文
作者:
张连
;
魏学成
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路坤熠
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魏同波
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王军喜
;
李晋闽
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提交时间:2016/04/15
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei, TB
;
Wu, K
;
Lan, D
;
Sun, B
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Zhang, YH
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Chen, Y
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Huo, ZQ
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Hu, Q
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Wang, JX
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Zeng, YP
;
Li, JM
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提交时间:2015/04/02
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期刊论文
作者:
Wu K
;
Zhang YY
;
Wei TB
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Lan D
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Sun B
;
Zheng HY
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Lu HX
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Chen Y
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Wang JX
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Luo Y
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Li JM
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提交时间:2014/04/09
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期刊论文
作者:
Wei, TB
;
Wu, K
;
Chen, Y
;
Yu, J
;
Yan, Q
;
Zhang, YY
;
Duan, R
;
Wang, J
;
Zeng, Y
;
Li, JM
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提交时间:2013/03/17
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期刊论文
作者:
杨其长
;
徐志刚
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陈弘达
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泮进明
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魏灵玲
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刘文科
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周泓
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刘晓英
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宋昌斌
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提交时间:2012/07/17
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhang, L.
;
Ding, K.
;
Liu, N.X.
;
Wei, T.B.
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Ji, X.L.
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Ma, P.
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Yan, J.C.
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Wang, J.X.
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Zeng, Y.P.
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Li, J.M.
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Zhang, L.(zhanglian07@semi.ac.cn)
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提交时间:2012/06/14
氧化铟锡透明导电薄膜表面粗化方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102244159A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
郑怀文
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张逸韵
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吴奎
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杨华
;
李璟
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提交时间:2012/09/09
具有p-GaN层表面粗化的GaN基LED芯片的制作方法
专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102157640A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:
李璟
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王国宏
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魏同波
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张杨
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孔庆峰
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提交时间:2012/09/09
生长半极性GaN厚膜的方法
专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-03-19
发明人:
羊建坤
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魏同波
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霍自强
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张勇辉
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胡强
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段瑞飞
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王军喜
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提交时间:2014/10/31