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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体... [186]
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专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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InP衬底上集成增强型和耗尽型HEMT的制作方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-08-26, 公开日期: 4005
发明人:
戴扬
Adobe PDF(468Kb)
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浏览/下载:1174/201
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提交时间:2010/03/19
一种恒温装置及其控制方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-03-11, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
张日清
;
刘祥林
;
杨少延
;
张晓沛
;
董向芸
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浏览/下载:1405/181
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提交时间:2009/06/11
光学复合膜作电极的GaN功率型LED的制备方法
专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-01-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
李晋闽
;
王晓东
;
王国宏
;
王良臣
;
杨富华
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浏览/下载:1335/201
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Zhu, JH (Zhu, J. H.)
;
Wang, LJ (Wang, L. J.)
;
Zhang, SM (Zhang, S. M.)
;
Wang, H (Wang, H.)
;
Zhao, DG (Zhao, D. G.)
;
Zhu, JJ (Zhu, J. J.)
;
Liu, ZS (Liu, Z. S.)
;
Jiang, DS (Jiang, D. S.)
;
Qiu, YX (Qiu, Y. X.)
;
Yang, H (Yang, H.)
;
Zhu, JH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: smzhang@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(829Kb)
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浏览/下载:1227/312
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提交时间:2010/03/08
基于共振隧穿二极管与高电子迁移率晶体管的高速集成电路工艺与设计
学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者:
戴扬
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浏览/下载:1079/45
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提交时间:2009/04/13
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期刊论文
作者:
张爽
;
赵德刚
;
刘宗顺
;
朱建军
;
张书明
;
王玉田
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段俐宏
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刘文宝
;
江德生
;
杨辉
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
黄永箴
;
车凯军
;
杨跃德
;
王世江
;
杜云
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
刘丰满
;
陈雄斌
;
刘博
;
杨宇
;
陈弘达
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
刘端阳
;
夏建白
;
张亚中
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提交时间:2010/11/23
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期刊论文
作者:
刘丰满
;
陈雄斌
;
刘博
;
杨宇
;
陈弘达
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浏览/下载:1379/399
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提交时间:2010/11/23