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| 提高非晶硅薄膜太阳能电池开路电压的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2010-08-12, 公开日期: 2010-02-24, 2010-08-12
发明人: 石明吉; 曾湘波; 张长沙; 刘石勇; 彭文博; 肖海波
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| 对激发光源无稳定性要求的光激发荧光谱系统 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-18, 公开日期: 4013
发明人: 谭平恒 ; 张俊; 赵建华; 姬扬; 赵伟杰
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| 基于核独立分量分析的电流传感器角差在线监测方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-11-11, 公开日期: 4012
发明人: 鲁华祥; 金骥; 马晓燕
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| 有机染料分子敏化非晶硅/微晶硅太阳电池的制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-07-22, 公开日期: 4001
发明人: 张长沙; 王占国; 石明吉; 彭文博; 刘石勇; 肖海波; 廖显伯; 孔光临; 曾湘波
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| 基于光纤阵列的2×2机械式光开关 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2009-06-24, 公开日期: 3998
发明人: 祝宁华; 张 艳; 鞠 煜; 温继敏; 王 欣
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| Large-Signal Performance of 1.3 mu m InAs/GaAs quantum-dot lasers 会议论文
, Shanghai, PEOPLES R CHINA, AUG 30-SEP 03, 2009
作者: Ji; HM; Cao; YL; Xu PF; Gu YX; Ma WQ; Liu Y; Wang X; Xie L; Yang T; Ji, HM, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Nie C; Jiang RL; Ji XL; Xie ZL; Liu B; Han P; Zhang R; Zheng YD; Nie C Nanjing Univ Nanjing 210093 Peoples R China. E-mail Address: nchbbc@gmail.com; ndjrl@163.com; jixiaoli2002@nju.org.cn; xzl@nju.edu.cn; mypostlb@163.com; hanping@nju.cdu.cn; rzhang@nju.edu.cn; ydzheng@nju.edu.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo HH (Luo Haihui); Qian X (Qian Xuan); Ruan XZ (Ruan Xuezhong); Ji Y (Ji Yang); Umansky V (Umansky Vladimir); Ji, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jiyang@red.semi.ac.cn
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| 宽禁带半导体碳化硅(SiC)快速生长及多片大面积外延技术的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2009
作者: 纪刚
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Liang JR; Hu M; Wang XD; Li GK; Ji A; Yang FH; Liu J; Wu NJ; Chen HD; Liang JR Tianjin Univ Sch Elect & Informat Engn Tianjin 300072 Peoples R China. E-mail Address: liang_jiran@tju.edu.cn
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