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砷化镓基量子级联半导体激光器材料及生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-05-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李路;  刘峰奇;  刘俊岐;  郭瑜;  周华兵;  梁凌燕;  吕小晶
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一种氮化镓基发光二极管的外延粗化方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214739A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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一种氮化镓外延中的相变成核的生长方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010145087.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  王兵;  李志聪;  王国宏;  闫发旺;  姚然;  王军喜;  李晋闽
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一种提高氮化镓基发光二极管抗静电能力的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN102214740A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09
发明人:  李志聪;  姚然;  王兵;  梁萌;  李鸿渐;  李盼盼;  李璟;  王国宏;  李晋闽
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一种改进非晶硅太阳电池性能的方法 专利
专利类型: 发明, 专利号: CN201010117751.3, 公开日期: 2011-08-31
发明人:  刘石勇;  曾湘波;  彭文博;  肖海波;  姚文杰;  谢小兵;  王超;  王占国
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倒装高压发光二极管及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014-06-11
发明人:  郭金霞;  田婷;  赵勇兵;  刘志强;  伊晓燕;  王军喜;  李晋闽
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一种基于高压线性恒流电源的高压LED模组 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-09-11
发明人:  赵勇兵;  田婷;  詹腾;  郭金霞;  杨华;  伊晓燕;  李璟;  王国宏
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一种交流发光二极管 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-10-23
发明人:  田婷;  赵勇兵;  詹腾;  郭金霞;  伊晓燕;  刘志强;  李璟;  王国宏
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一种硅纳米线阵列结构硅薄膜太阳电池及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2014
发明人:  杨萍;  曾湘波;  谢小兵;  张晓东;  李浩;  王占国
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高压发光二极管芯片及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 公开日期: 2013-07-03
发明人:  郭金霞;  闫建昌;  伊晓燕;  田婷;  詹腾;  赵勇兵;  宋昌斌;  王军喜
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