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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zeng, C;  Zhang, SM;  Liu, JP;  Li, DY;  Jiang, DS;  Feng, MX;  Li, ZC;  Zhou, K;  Wang, F;  Wang, HB;  Wang, H;  Yang, H
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun, J;  Zhou, DY;  Li, RY;  Zhao, C;  Ye, XL;  Xu, B;  Chen, YH;  Wang, ZG;  Sun, J, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: albertjefferson@sohu.com
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun Q;  Zhang JC;  Huang Y;  Chen J;  Wang JF;  Wang H;  Li DY;  Wang YT;  Zhang SM;  Yang H;  Zhou CL;  Guo LP;  Jia QJ;  Sun, Q, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: qsun@red.semi.ac.cn
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Surface morphology and optical property of 1.3 mu m In0.5Ga0.5As/GaAs self-organized quantum dots grown by MBE 会议论文
PHYSICA E-LOW-DIMENSIONAL SYSTEMS & NANOSTRUCTURES, 17 (1-4), TOULOUSE, FRANCE, JUL 22-26, 2002
作者:  Lan Q;  Niu ZC;  Zhou DY;  Kong YC;  Wang XD;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu ZC Chinese Acad Sci Natl Lab Superlattices Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1115/218  |  提交时间：2010/11/15
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lan Q;  Niu ZC;  Zhou DY;  Kong YC;  Wang XD;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu ZC,Chinese Acad Sci,Natl Lab Superlattices,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(252Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：889/277  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Kong YC;  Zhou DY;  Lan Q;  Liu JL;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu ZC;  Kong YC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Micostruct,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(179Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：930/284  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou DY;  Lan Q;  Kong YC;  Miao ZH;  Feng SL;  Niu ZC;  Zhou DY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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Photoluminescence characterization of 1.3 mu m In(Ga)As/GaAs islands grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PROCEEDINGS OF THE 10TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON NARROW GAP SEMICONDUCTORS AND RELATED SMALL ENERGY PHENOMENA, PHYSICS AND APPLICATIONS, 2, KANAZAWA, JAPAN, MAY 27-31, 2001
作者:  Niu ZC;  Wang XD;  Miao ZH;  Lan Q;  Kong YC;  Zhou DY;  Feng SL;  Niu ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Lab Superlattices & Microstruct POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Molecular Beam Epitaxy  Ingaas Islands  Photolumineseence  Line-width  1.3 Mu-m  Inas/gaas Quantum Dots  Optical-properties  Cap Layer  Gaas  Luminescence  Strain  
Strain relaxation of GeSi alloy with low dislocation density grown on low-temperature Si buffers 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 201, CANNES, FRANCE, AUG 31-SEP 04, 1998
作者:  Peng CS;  Chen H;  Zhao ZY;  Li JH;  Dai DY;  Huang Q;  Zhou JM;  Zhang YH;  Tung CH;  Sheng TT;  Wang J;  Peng CS Chinese Acad Sci Inst Phys POB 603 Beijing 100080 Peoples R China.
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Threading Dislocation  Si(100)  Layers  Films  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng CS;  Chen H;  Zhao ZY;  Li JH;  Dai DY;  Huang Q;  Zhou JM;  Zhang YH;  Tung CH;  Sheng TT;  Wang J;  Peng CS,Chinese Acad Sci,Inst Phys,POB 603,Beijing 100080,Peoples R China.
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