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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wen RM;  Liang JW;  Liang JW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wen RM;  Wen RM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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Influence of open-tube Ga diffusion on the characteristics for thyristor 会议论文
POWER SEMICONDUCTOR MATERIALS AND DEVICES, 483, BOSTON, MA, DEC 01-04, 1997
作者:  Wen RM;  Pei SH;  Wen RM Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wen RM;  Wen RM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wen RM(闻瑞梅)
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  ZHANG JP;  FAN TW;  GWILLIAM RM;  HEMMENT PLF;  WEN JQ;  QIAN Y;  EFEOGLU H;  EVANS JH;  PEAKER AR;  ZHANG JP UNIV SURREYDEPT ELECTR & ELECT ENGNGUILDFORD GU2 5XHSURREYENGLAND
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