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| ZnMgO合金材料的MOCVD生长及物性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 杨安丽 Adobe PDF(4610Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1430/85  |  提交时间:2010/04/07 Znmgo Mocvd 纳米结构 异质结 价带差 |
| ⅠB 族元素掺杂ZnO 薄膜的制备及其物性研究 学位论文 , 北京: 中国科学院研究生院, 2010 作者: 杨晓丽 Adobe PDF(2445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1117/41  |  提交时间:2010/07/12 |
| 掺杂剂锌辅助的自催化法生长InN纳米棒材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910237095.8, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 宋华平; 杨安丽; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(400Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1532/243  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用非极性ZnO缓冲层生长非极性InN薄膜的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010157517.3, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 郑高林; 杨安丽; 宋华平; 郭严; 魏鸿源; 刘祥林; 朱勤生; 杨少延; 王占国 Adobe PDF(1109Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1430/206  |  提交时间:2011/08/31 |
| 生长氧化锌薄膜材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN200910079800.6, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 王振华; 刘祥林; 杨少延; 杨安丽 Adobe PDF(348Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1452/223  |  提交时间:2011/08/31 |
| Cu掺杂p型ZnO薄膜的制备方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN201010106765.5, 公开日期: 2011-08-31 发明人: 杨晓丽; 陈诺夫; 尹志岗 Adobe PDF(213Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1279/208  |  提交时间:2011/08/31 |
| 利用温度周期调制生长氧化锌材料的方法 专利 专利类型: 发明, 专利号: CN102206856A, 公开日期: 2012-09-09, 2012-09-09, 2012-09-09 发明人: 时凯; 刘祥林; 魏鸿源; 焦春美; 王俊; 李志伟; 宋亚峰; 杨少延; 朱勤生; 王占国 Adobe PDF(580Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1125/184  |  提交时间:2012/09/09 |