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一种SiGe弛豫衬底材料及其制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-06-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
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一种硅基电光材料 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2008-05-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  赵雷;  左玉华;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yu, LK;  Xu, B;  Wang, ZG;  Jin, P;  Zhao, C;  Lei, W;  Sun, J;  Hu, LJ;  Yu, LK, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, PO Box 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yulike@rcd.semi.ac.cn
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Pockels effect in GaN/Al-x,Gal(1-x)N superlattice with different quantum structures - art. no. 69841G 会议论文
THIN FILM PHYSICS AND APPLICATIONS,SIXTH INTERNATIONAL CONFERENCE, Shanghai, PEOPLES R CHINA, SEP 25-28, 2007
作者:  Chen P;  Lib SP;  Tu XG;  Zuo YH;  Zhao L;  Chen SW;  Li JC;  Lin W;  Chen HY;  Liu DY;  Kang JY;  Yu YD;  Yu JZ;  Wang QM;  Chen, P, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China.
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Pockels Effect  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Tu X;  Zuo Y;  Chen S;  Zhao L;  Yu J;  Wang Q;  Tu, X, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: tuxiaog@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hao, XP;  Wang, BY;  Yu, RS;  Wei, L;  Wang, H;  Zhao, DG;  Hao, WC;  Wei, L, Chinese Acad Sci, Inst High Energy Phys, Key Lab Nucl Anal Tech, Beijing 100049, Peoples R China. 电子邮箱地址: weil@ihep.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  占荣;  赵有文;  于会永;  高永亮;  惠峰
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  于会永;  赵有文;  占荣;  高永亮
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王柱;  柯君玉;  李辉;  庞锦标;  戴益群;  赵有文
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