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具有超薄碳化硅中间层的硅基可协变衬底及制备方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2007-08-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  杨少延;  杨霏;  李成明;  范海波;  陈涌海;  刘志凯;  王占国
Adobe PDF(1107Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1411/193  |  提交时间：2009/06/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang XW (Zhang Xiu-Wen);  Fan WJ (Fan Wei-Jun);  Chang K (Chang Kai);  Li SS (Li Shu-Shen);  Xia JB (Xia Jian-Bai);  Fan, WJ, Nanyang Technol Univ, Sch Elect & Elect Engn, Singapore 639798, Singapore. 电子邮箱地址: ewjfan@ntu.edu.sg
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