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| 减小表面态影响的氮化镓基MSM结构紫外探测器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-13, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚; 杨辉 Adobe PDF(424Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:998/157  |  提交时间:2009/06/11 |
| 光子晶体波导分布反馈激光器及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵致民; 许兴胜; 陈弘达; 李芳; 刘育梁 Adobe PDF(635Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1054/147  |  提交时间:2009/06/11 |
| 窄条选择外延技术制作铝铟镓砷掩埋脊波导激光器及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 冯文; 潘教青; 赵玲娟; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(1004Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1165/151  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种增加闪锌矿结构锑化铬厚度的生长方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-11-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 邓加军; 毕京峰; 牛智川; 杨富华; 吴晓光; 郑厚植 Adobe PDF(336Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1350/141  |  提交时间:2009/06/11 |
| 制备长波长大应变铟镓砷/铟镓砷磷量子阱激光器的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 潘教青; 赵谦; 王圩; 朱洪亮 Adobe PDF(573Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1198/173  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 陈涌海; 赵玲慧; 曾一平; 李成基 Adobe PDF(528Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1254/207  |  提交时间:2009/06/11 |
| 无磁场测量稀磁半导体镓锰砷铁磁转变温度的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-09, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵建华; 蒋春萍; 郑厚植; 邓加军; 杨富华; 牛智川 Adobe PDF(363Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1296/184  |  提交时间:2009/06/11 |
| 半导体激光器无源对准耦合与高频封装用硅基版 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨华; 朱洪亮; 赵玲娟; 王圩 Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1139/159  |  提交时间:2009/06/11 |
| 1.3微米高密度量子点结构及其制备方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 牛智川; 方志丹; 倪海桥; 韩勤; 龚政; 张石勇; 佟存柱; 彭红玲; 吴东海; 赵欢; 吴荣汉 Adobe PDF(629Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1842/227  |  提交时间:2009/06/11 |
| PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2006-03-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 赵德刚; 杨辉 Adobe PDF(421Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1157/128  |  提交时间:2009/06/11 |