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在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  焦春美;  于英仪;  赵凤瑗
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应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  赵凤瑗;  焦春美;  于英仪
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xu, Y (Xu Ying);  Liao, XB (Liao Xianbo);  Diao, HW (Diao Hongwei);  Li, XD (Li Xudong);  Zeng, XB (Zeng Xiangbo);  Liu, XP (Liu Xiaoping);  Wang, MH (Wang Minhua);  Wang, WJ (Wang Wenjing);  Xu, Y, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: yingxu@red.semi.ac.cn
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