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制造厚膜氮化物材料的氢化物气相外延装置 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-12-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘喆;  王军喜;  钟兴儒;  李晋闽;  曾一平;  段瑞飞;  马平;  魏同波;  林郭强
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ma RM (Ma R. M.);  Dai L (Dai L.);  Huo HB (Huo H. B.);  Yang WQ (Yang W. Q.);  Qin GG (Qin G. G.);  Tan PH (Tan P. H.);  Huang CH (Huang C. H.);  Zheng J (Zheng J.);  Dai, L, Peking Univ, Sch Phys, Beijing 100871, Peoples R China. E-mail: lundai@pku.edu.cn
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