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在硅衬底上生长氮化镓自支撑衬底材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  焦春美;  于英仪;  赵凤瑗
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应变调制掺杂法制备P型氧化锌半导体薄膜材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  刘祥林;  赵凤瑗;  焦春美;  于英仪
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang SJ (Wang Shoujue);  Liu YY (Liu Yangyang);  Wang, SJ, Inst Semicond, Lab Artificial Neural Networks, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: wangsj@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou YF;  Pan ZL;  Liu Y;  Ai F;  Chen NF;  Huang YY;  He W;  Tang LA;  Wang JC;  Zhou, YF, Chinese Acad Sci, Shanghai Inst Ceram, Shanghai 200050, Peoples R China. E-mail: yfzhou@sunm.shcnc.ac.cn
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SOI optical switch matrix integrated with spot size converter (SSC) and total internal reflection (TIR) mirrors 会议论文
2006 3rd IEEE International Conference on Group IV Photonics, Ottawa, CANADA, SEP 13-15, 2006
作者:  Yu JZ (Yu Jinzhong);  Chen SW (Chen Shaowu);  Li ZY (Li Zhiyong);  Chen YY (Chen Yuanyuan);  Li YT (Li Yuntao);  Li YP (Li Yanping);  Liu JW (Liu Jingwei);  Yang D (Yang Di);  Yu, JZ, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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Soi  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈华;  金伟其;  王霞;  刘扬阳
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