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半导体可饱和吸收镜及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-10-18, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王翠鸾;  王勇刚;  林涛;  王俊;  郑凯;  冯小明;  仲莉;  马杰慧;  马骁宇
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半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈涌海;  赵玲慧;  曾一平;  李成基
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一种在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-08-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  韩修训;  李杰民;  黎大兵;  陆沅;  王晓晖
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使多个V形光伏器件组件连接的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-06-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李建明;  种明;  徐嘉东;  刘海涛;  边莉;  迟迅;  翟永辉
Adobe PDF(490Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1111/166  |  提交时间：2009/06/11
倒装氮化镓基发光二极管芯片的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-05-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李丙乾;  张书明;  杨辉
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao, DG (Zhao, D. G.);  Liu, ZS (Liu, Z. S.);  Zhu, JJ (Zhu, J. J.);  Zhang, SM (Zhang, S. M.);  Jiang, DS (Jiang, D. S.);  Yang, H (Yang, Hui);  Liang, JW (Liang, J. W.);  Li, XY (Li, X. Y.);  Gong, HM (Gong, H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dgzhao@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li DY (Li Deyao);  Zhang SM (Zhang Shuming);  Wang JF (Wang Jianfeng);  Chen J (Chen Jun);  Chen LH (Chen Lianghui);  Chong M (Chong Ming);  Zhu JJ (Zhu Jianjun);  Zhao DG (Zhao Degang);  Liu ZS (Liu Zongshun);  Yang H (Yang Hui);  Liang JW (Liang Junwu);  Li, DY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dyli@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu B (Hu Bing);  Zhou X (Zhou Xia);  Tang Y (Tang Yan);  Gan HD (Gan Huadong);  Zhu H (Zhu Hui);  Li GR (Li Guirong);  Zheng HZ (Zheng Houzhi);  Hu, B, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: hubing@red.semi.ac.cn;  hzzheng@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Cao YL (Cao Yu-Lian);  Lian P (Lian Peng);  Ma WQ (Ma Wen-Quan);  Wang Q (Wang Qing);  Wu XM (Wu Xu-Ming);  He GR (He Guo-Rong);  Li H (Li Hui);  Wang XD (Wang Xiao-Dong);  Song GF (Song Guo-Feng);  Chen LH (Chen Liang-Hui);  Cao, YL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Nanooptoelect, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: caoyl@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhao DG (Zhao D. G.);  Jiang DS (Jiang D. S.);  Yang H (Yang Hui);  Zhu JJ (Zhu J. J.);  Liu ZS (Liu Z. S.);  Zhang SM (Zhang S. M.);  Liang JW (Liang J. W.);  Hao XP (Hao X. P.);  Wei L (Wei L.);  Li X (Li X.);  Li XY (Li X. Y.);  Gong HM (Gong H. M.);  Zhao, DG, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: dgzhao@red.semi.ac.cn
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