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| 准量子阱有源区、薄层波导半导体光放大器集成模斑转换器 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 丁颖; 王圩; 王书学; 朱洪亮 Adobe PDF(596Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1340/181  |  提交时间:2009/06/11 |
| 一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 张南红; 王晓亮; 曾一平; 肖红领; 王军喜; 刘宏新; 李晋闽 Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1470/213  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 李建平; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(445Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1152/178  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高阻氮化镓外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 冉军学; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(362Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1314/191  |  提交时间:2009/06/11 |
| 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 肖红领; 王晓亮; 王军喜; 张南红; 刘宏新; 曾一平 Adobe PDF(404Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1248/177  |  提交时间:2009/06/11 |
| 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-07, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王晓亮; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽 Adobe PDF(542Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1073/175  |  提交时间:2009/06/11 |
| 模式识别专用神经网络计算机系统及应用方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-23, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王守觉; 李卫军; 赵顾良; 孙华 Adobe PDF(634Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1111/182  |  提交时间:2009/06/11 |
| 电吸收调制分布反馈半导体激光器件的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 胡小华; 李宝霞; 朱洪亮; 王圩 Adobe PDF(409Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1115/176  |  提交时间:2009/06/11 |
| 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-15, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 杨辉; 张书明; 王良臣 Adobe PDF(555Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:895/139  |  提交时间:2009/06/11 |
| 偏振不灵敏半导体光放大器的制作方法 专利 专利类型: 发明, 申请日期: 2005-05-25, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11 发明人: 王书荣; 王圩; 刘志宏; 张瑞英; 朱洪亮; 王鲁蜂 Adobe PDF(467Kb)  |  收藏  |  浏览/下载:1196/163  |  提交时间:2009/06/11 |