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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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研究单元&专题
中国科学院半导体研... [10]
作者
杨少延 [3]
江德生 [2]
张艳华 [2]
文献类型
期刊论文 [6]
会议论文 [3]
专利 [1]
发表日期
2004 [10]
语种
中文 [5]
英语 [5]
出处
2004 7TH I... [2]
半导体学报 [2]
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JOURNAL OF... [1]
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发表日期:2004
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10
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30
35
40
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80
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95
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带有外加磁场的深能级测量样品架装置
专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2004-10-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:
卢励吾
;
张砚华
;
葛惟昆
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浏览/下载:1228/187
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提交时间:2009/06/11
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Wei WS
;
Wang TM
;
Zhang CX
;
Li GH
;
Han HX
;
Ding K
;
Wei, WS, Beihang Univ, Ctr Mat Phys & Chem, Sch Sci, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: weiwensheng287@sohu.com
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浏览/下载:1152/405
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提交时间:2010/03/09
Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1419/244
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提交时间:2010/03/29
Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Li, N
;
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Fan, K
;
Zheng, ZS
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
;
Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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浏览/下载:1773/231
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提交时间:2010/03/29
Simox
Fluorine
Ionizing Radiation
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘文楷
;
林世鸣
;
安艳伟
;
张存善
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浏览/下载:1039/273
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘力锋
;
陈诺夫
;
张富强
;
陈晨龙
;
李艳丽
;
杨少延
;
刘志凯
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浏览/下载:905/298
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提交时间:2010/11/23
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:1631/405
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
无权访问的条目
期刊论文
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang, DS, CAS, Inst Semicond, SKLSM, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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浏览/下载:992/303
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提交时间:2010/03/09
无权访问的条目
期刊论文
作者:
陈力锋
;
陈诺夫
;
张富强
;
陈晨龙
;
李艳丽
;
杨少延
;
刘志凯
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浏览/下载:1024/332
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提交时间:2010/11/23
无权访问的条目
期刊论文
作者:
刘力锋
;
陈诺夫
;
张富强
;
陈晨龙
;
李艳丽
;
杨少延
;
刘志凯
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浏览/下载:935/352
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提交时间:2010/11/23