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键合强度可调节的柔性衬底 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-10-29, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张志成;  杨少延;  黎大兵;  陈涌海;  王占国
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一种单/多层异质量子点结构的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2003-04-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陈振;  陆大成;  韩培德;  刘祥林;  王晓晖;  李昱峰;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Chen YH;  Yang SY;  Zhang FQ;  Ma BS;  Xu B;  Zeng YP;  Wang ZG;  Zhang XP;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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Effects and numerical analysis of argon gas flow on the oxygen concentration in Czochralski silicon single crystal growth 会议论文
MICROELECTRONIC ENGINEERING, 66 (1-4), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:  Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG;  Zhang ZC Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci Beijing 100083 Peoples R China.
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Czochralski Method  Growth From Melt  Semiconductor Silicon  Argon Gas Flow  Computer Simulation  Oxygen Content  Furnace Pressure  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang BY;  Li G;  Chen M;  Zhang ZG;  Wang YG;  Zhang BY,Beijing Univ Technol,Coll Laser Engn,Beijing 100022,Peoples R China.
Adobe PDF(398Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1101/325  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Chen YH;  Li DB;  Zhang FQ;  Yang SY;  Ma BS;  Sun GS;  Wang ZG;  Zhang XP;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Lab Semicond Mat Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(332Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1154/371  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Xu B;  Zeng YP;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(389Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：962/277  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen DJ;  Shen B;  Bi ZX;  Zhang KX;  Gu SL;  Zhang R;  Shi Y;  Zheng YD;  Sun XH;  Wan SK;  Wang ZG;  Shen B,Nanjing Univ,Natl Lab Solid State Microstruct,Nanjing 210093,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Ren BY;  Chen YH;  Yang SY;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(389Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：830/203  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Qu BZ;  Chen Z;  Lu DC;  Han P;  Liu XG;  Wang XH;  Wang D;  Zhu QS;  Wang ZG;  Qu BZ,Acad Sinica,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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