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| 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Feng G; Fu Y; Xia JS; Zhu JJ; Zhang BS; Shen XM; Zhao DG ; Yang H; Liang JW; Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Feng G; Zheng XH; Zhu JJ; Shen XM; Zhang BS; Zhao DG; Sun YP; Zhang ZH; Wang YT; Yang H; Liang JW; Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun YP; Shen XM; Wang J; Zhao DG; Feng G; Fu Y; Zhang SM; Zhang ZH; Feng ZH; Bai YX; Yang H; Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Feng G; Zheng XH; Fu Y; Zhu JJ; Shen XM; Zhang BS; Zhao DG; Wang YT; Yang H; Liang JW; Feng G,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun YP; Fu Y; Qu B; Wang YT; Feng ZH; Shen XM; Zhao DG; Zheng XH; Duan LH; Li BC; Zhang SM; Yang H; Sun YP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: ypsun@red.semi.ac.cn
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 冯志宏; 杨辉; 徐大鹏; 赵德刚; 王海; 段俐宏
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 董宏伟; 赵有文; 焦景华; 赵建群; 林兰英
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 杨晓红; 杜云; 吴荣汉; 赵榆霞; 李兆; 周家云; 沈玉全
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王文青; 宋淑芳; 艾家和; 韩晓英; 赵金茹; 许宏飞; 史利军
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