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Growth and structural properties of GaN films on flat and vicinal SiC(0001) substrates 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:  Xie MH;  Cheung SH;  Zheng LX;  Tong SY;  Zhang BS;  Yang H;  Xie MH Univ Hong Kong Dept Phys Pokfulam Rd Hong Kong Hong Kong Peoples R China.
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Molecular-beam Epitaxy  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZC;  Yang SY;  Zhang FQ;  Li DB;  Chen YH;  Wang ZG;  Zhang ZC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou JP;  Chen NF;  Zhang FQ;  Song SL;  Chai CL;  Yang SY;  Liu ZK;  Lin LY;  Zhou JP,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Xie MH;  Cheung SH;  Zheng LX;  Tong SY;  Zhang BS;  Yang H;  Xie MH,Univ Hong Kong,Dept Phys,Pokfulam Rd,Hong Kong,Hong Kong,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王荣;  周宏余;  司戈丽;  姚淑德;  张新辉;  郭增良;  翟佐绪;  王勇刚;  朱升云
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