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| 气源分子束外延生长锗硅异质结双极晶体管材料掺杂方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 黄大定; 李建平; 高斐; 林燕霞; 孙殿照; 刘金平; 朱世荣; 孔梅影
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| 1.3微米InGaAs/GaAs自组织量子点激光器材料及生长该材料的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-10-02, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 牛智川; 封松林; 杨富华; 王晓东; 汪辉; 李树英; 苗振华; 李树深
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| In situ doping of 3C-SiC grown on (0001) sapphire substrates by LPCVD 会议论文
SILICON CARBIDE AND RELATED MATERIALS 2001, PTS 1 AND 2, PROCEEDINGS, 389-3, TSUKUBA, JAPAN, OCT 28-NOV 02, 2001
作者: Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY; Sun GS Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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3c-sic In-situ Doping Low-pressure Cvd Sapphire Substrate Chemical-vapor-deposition Competition Epitaxy |
| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Sun GS; Luo MC; Wang L; Zhu SR; Li JM; Zeng YP; Lin LY; Sun GS,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Luo MC; Wang XL; Li JM; Liu HX; Wang L; Sun DZ; Zeng YP; Lin LY; Luo MC,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Novel Semicond Mat Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Zheng XH; Wang Q; Lin ZL; Li CG; Zhou ML; ( )
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩培德 ; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王启元; 林兰英; 王建华; 邓惠芳; 谭利文; 王俊; 蔡田海; 郁元桓
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡桂青; 孔翔; 王乙潜; 万里; 段晓峰; 陆沅; 刘祥林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 谭利文; 王俊; 王启元; 郁元桓; 刘忠立; 邓惠芳; 王建华; 林兰英
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