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采用TEOS源PECVD生长氧化硅厚膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-27, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  雷红兵;  王红杰;  胡雄伟;  邓晓清;  王启明
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Impact of wide bandgap p-type nc-Si on the performance of a-Si solar cells 会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (1-2), SINGAPORE, SINGAPORE, JUL 01-06, 2001
作者:  Deng X;  Wang W;  Han S;  Povolny H;  Du W;  Liao X;  Xiang X;  Liao X Chinese Acad Sci Inst Semicond State Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng X;  Wang W;  Han S;  Povolny H;  Du W;  Liao X;  Xiang X;  Liao X,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Lab Surface Phys,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晓清;  杨沁清;  王红杰;  胡雄伟;  王启明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  邓晓清;  杨沁清;  王红杰;  胡雄伟;  王启明
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