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| Ⅲ族氮化物单/多层异质应变薄膜的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-08-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈振; 陆大成; 刘祥林; 王晓晖; 袁海荣; 王占国
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| 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-07-31, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 韩培德 ; 刘祥林; 王晓晖; 陆大成
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| 自钝化非平面结三族氮化物半导体器件及其制造方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-06-19, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陆大成; 王晓晖; 姚文卿; 刘祥林
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| 半导体面发光器件及增强横向电流扩展的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2002-03-06, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 刘祥林; 陆大成; 王晓晖; 袁海荣
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu LW; Yan H; Yang CL; Xie MH; Wang ZG; Wang J; Ge WK; Lu LW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Lu L; Yang CL; Yan H; Yang H; Wang Z; Wang J; Ge W; Lu L,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,Beijing 100083,Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 韩培德; 刘祥林; 袁海荣; 陈振; 李昱峰; 陆沅; 汪度; 陆大成; 王占国
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 毛陆虹; 陈弘达; 吴荣汉; 唐君; 梁琨; 粘华; 郭维廉; 李树荣; 吴霞宛
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 胡桂青; 孔翔; 王乙潜; 万里; 段晓峰; 陆沅; 刘祥林
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 卢励吾; 张砚华; 徐遵图; 徐仲英; 王占国; Wang J; Ge Weikun
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