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JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Nie JP;  Liu ZL;  He ZJ;  Yu F;  Li GH;  Nie JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Silicon  
High brightness AlGaInP orange light emitting diodes 会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:  Li YZ;  Wang GH;  Ma XY;  Peng HI;  Wang ST;  Chen LH;  Li YZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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High Brightness  Led  Mocvd  Algainp  
Coupled AlxGa1-xAs-AlAs distributed Bragg reflectors for high brightness AlGaInP light emitting diodes 会议论文
DISPLAY DEVICES AND SYSTEMS II, 3560, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-17, 1998
作者:  Wang GH;  Ma XY;  Zhang YF;  Peng HI;  Wang ST;  Li YZ;  Chen LH;  Wang GH Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Engn Res Ctr Optoelect Devices POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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Led  Coupled Distributed Bragg Reflector  Mocvd  Algainp  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Wang YT;  Li GH;  Jiang HX;  Han P;  Lu DC;  Duan SK,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Integrated Optoelect Lab,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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InAs/GaAs量子点和量子阱的静压光谱研究 成果
1998
主要完成人:  李国华;  韩和相;  汪兆平;  刘振先;  郑宝真
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Inas/gaas  
MOVPE growth of GaN and LED on (111) MgAl2O4 会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 189, TOKUSHIMA CITY, JAPAN, OCT 27-31, 1997
作者:  Duan SK;  Teng XG;  Wang YT;  Li GH;  Jiang HX;  Han P;  Lu DC;  Duan SK Chinese Acad Sci Inst Semicond Natl Integrated Optoelect Lab POB 912 Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: skduan@red.semi.ac.cn
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Gan  Mgal2o4  Movpe  Led  Diodes  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin F;  Xiao XR;  Li XP;  Zhang ZZ;  Zhang BW;  Cao Y;  Li GH;  Wang ZP;  Xiao XR,Chinese Acad Sci,Inst Photog Chem,Beijing 100101,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu NZ;  Zhu ZM;  Li GH;  Han HX;  Wang ZP;  Ge WK;  Sou IK;  Liu NZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlattices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yin F;  Li XP;  Xiao XR;  Zhang BW;  Cao Y;  Chen JR;  Li GH;  Han HX;  Wang ZP;  Yin F,Chinese Acad Sci,Inst Photog Chem,Beijing 100101,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Han HX;  Wang ZP;  Li GH;  Xu SJ;  Ding K;  Liu NZ;  Zhu ZM;  Han HX,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Natl Lab Superlatitices & Microstruct,Beijing 100083,Peoples R China.
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