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分子束外延InAs薄膜的生长.性质和应用研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 1998
作者:  王红梅
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HM;  Zeng YP;  Zhou HW;  Kong MY;  Wang HM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HW;  Zeng YP;  Wang HM;  Dong JR;  Zhu ZP;  Pan L;  Kong MY;  Zhou HW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang HM;  Fan TW;  Wu J;  Zeng YP;  Dong JR;  Kong MY;  Wang HM,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Ctr Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
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Dislocations in InAs epilayers grown by MBE on GaAs substrates under various conditions 会议论文
ELECTRON MICROSCOPY OF SEMICONDUCTING MATERIALS AND ULSI DEVICES, 523, SAN FRANCISCO, CA, APR 15-16, 1998
作者:  Wang HM;  Zeng YP;  Pan L;  Zhou HW;  Zhu ZP;  Kong MY;  Wang HM Chinese Acad Sci Inst Semicond Div Novel Mat POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周宏伟;  曾一平;  李歧旺;  卫微;  王红梅;  孔梅影
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  周宏伟;  董建荣;  王红梅;  曾一平;  朱占萍;  潘量;  孔梅影
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王红梅;  曾一平;  周宏伟;  董建荣;  潘栋;  潘量;  孔梅影
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