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Improvement of CMOS SOS devices characteristics by a modified solid phase epitaxy 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Liu ZL;  He ZJ;  Yu F;  Nie JP;  Yu YH;  Liu ZL Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Sapphire Films  Silicon  
JFET SOS devices: Processing and gamma radiation effects 会议论文
1998 5TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUIT TECHNOLOGY PROCEEDINGS, BEIJING, PEOPLES R CHINA, OCT 21-23, 1998
作者:  Nie JP;  Liu ZL;  He ZJ;  Yu F;  Li GH;  Nie JP Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
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Silicon  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Chen W;  Wang ZG;  Lin ZJ;  Lin LY;  Fang KM;  Xu Y;  Su MZ;  Lin JH;  Chen W,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China. 电子邮箱地址: wchen@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  许燕;  林兆军;  陈伟;  白元强;  方克明
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  林兆军;  王占国;  许燕;  陈伟;  李国华;  方克明;  林兰英
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈红;  叶兆杰;  方士;  刘巽镶
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