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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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中国科学院半导体研究... [5]
作者
江德生 [2]
张艳华 [1]
文献类型
会议论文 [5]
发表日期
2004 [3]
2002 [2]
语种
英语 [5]
出处
2004 7TH I... [2]
COMMAD 200... [1]
INTERNATIO... [1]
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Effect of the implantation of fluorine on the mobility of channel electron for partially depleted SOI nMOSFET
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Zheng, ZS
;
Liu, ZL
;
Zhang, GQ
;
Li, N
;
Fan, K
;
Zheng, ZS, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Radiation response of partially-depleted MOS transistors fabricated in the fluorinated SIMOX wafers
会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:
Li, N
;
Zhang, GQ
;
Liu, ZL
;
Fan, K
;
Zheng, ZS
;
Lin, Q
;
Zhang, ZX
;
Lin, CL
;
Li, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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提交时间:2010/03/29
Simox
Fluorine
Ionizing Radiation
Structural and optical properties of GaAsSb/GaAs heterostructure quantum wells
会议论文
JOURNAL OF CRYSTAL GROWTH, 268 (3-4), Singapore, SINGAPORE, DEC 07-12, 2003
作者:
Jiang DS
;
Bian LF
;
Liang XG
;
Chang K
;
Sun BQ
;
Johnson S
;
Zhang YH
;
Jiang DS CAS Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: dsjiang@red.semi.ac.cn
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提交时间:2010/11/15
Molecular Beam Epitaxy
Quantum Wells
Gaassb/gaas
Gaas
Lasers
Gain
Study on optical band gap of boron-doped nc-Si : H film
会议论文
INTERNATIONAL JOURNAL OF MODERN PHYSICS B, 16 (28-29), XIAN, PEOPLES R CHINA, JUN 10-14, 2002
作者:
Wei WS
;
Wang TM
;
Zhang CX
;
Li GH
;
Han HX
;
Ding K
;
Wei WS Beijing Univ Aeronaut & Astronaut Sch Sci Ctr Mat Phys & Chem Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/11/15
Amorphous-silicon
Optical study on the coupled GaAsSb/GaAs double quantum wells
会议论文
COMMAD 2002 PROCEEDINGS, SYDNEY, AUSTRALIA, DEC 11-13, 2002
作者:
Jiang DS
;
Liang XG
;
Chang K
;
Bian LF
;
Sun BQ
;
Wang JB
;
Johnson S
;
Zhang Y
;
Jiang DS Chinese Acad Sci Inst Semicond SKLSM Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Lasers
Gain
Gaas