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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou HY;  Qu SC;  Jin P;  Xu B;  Ye XL;  Liu JP;  Wang ZG;  Qu, SC, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. qsc@semi.ac
Adobe PDF(584Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1599/365  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhou XL;  Chen YH;  Li TF;  Zhou GY;  Zhang HY;  Ye XL;  Xu B;  Wang ZG;  Zhou, XL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. zhouxl06@semi.ac.cn
Adobe PDF(2010Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1431/281  |  提交时间：2011/07/05
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Peng Yinsheng;  Ye Xiaoling;  Xu Bo;  Jin Peng;  Niu Jiebin;  Jia Rui;  Wang Zhanguo
Adobe PDF(351Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1382/311  |  提交时间：2011/08/16
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lei W;  Chen YH;  Jin P;  Ye XL;  Wang YL;  Xu B;  Wang ZG;  Lei, W, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. E-mail: yhchen@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(271Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1020/271  |  提交时间：2010/04/11
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Shi GX;  Jin P;  Xu B;  Li CM;  Cui CX;  Wang YL;  Ye XL;  Wu J;  Wang ZG;  Shi, GX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Key Lab Semicond Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: gxshi@red.semi.ac.cn
Adobe PDF(286Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：993/286  |  提交时间：2010/03/09
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Zhang ZY;  Meng XQ;  Jin P;  Li CM;  Qu SC;  Xu B;  Ye XL;  Wang ZG;  Zhang ZY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Key Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(195Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1025/369  |  提交时间：2010/08/12
Optical properties of self-assembled ternary In(GA/Al)As quantum dots on (100) and (N 1 1)B InP substrates 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Sun ZZ;  Liu FQ;  Wu J;  Ye XL;  Ding D;  Xu B;  Liang JB;  Wang ZG;  Sun ZZ Chinese Acad Sci Inst Semicond Lab Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(192Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1551/262  |  提交时间：2010/11/15
Self-assembled Quantum Dots  Inp Substrate  High Index  Mbe  In(Ga  Molecular-beam-epitaxy  Al)as/inAlas/inp  Vapor-phase Epitaxy  Gaas  Islands  Photoluminescence  Inp(001)  Growth  Lasers  
Influence of substrate orientation on In0.5Ga0.5As/GaAs quantum dots grown by molecular beam epitaxy 会议论文
PHYSICA E, 8 (2), BEIJING, PEOPLES R CHINA, JUN 13-18, 1999
作者:  Jiang WH;  Xu HZ;  Xu B;  Ye XL;  Zhou W;  Ding D;  Liang JB;  Wang ZG;  Jiang WH Chinese Acad Sci Inst Semicond Inst Semicond Mat Sci POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(320Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1492/285  |  提交时间：2010/11/15
Quantum Dots  High Index  Molecular Beam Epitaxy  Photoluminescence  Surface Segregation  Oriented Gaas  Ingaas  Islands  Wells  Disks  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Sun S;  Wu J;  Liu FQ;  Zu HZ;  Chen YH;  Ye XL;  Jiang WH;  Xu B;  Wang ZG;  Sun S,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(152Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：848/247  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu HY;  Xu B;  Gong Q;  Ding D;  Liu FQ;  Chen YH;  Jiang WH;  Ye XL;  Li YF;  Sun ZZ;  Zhang JF;  Liang JB;  Wang ZG;  Liu HY,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,Lab Semicond Mat Sci,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(218Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1341/302  |  提交时间：2010/08/12