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AlGaN/GaN HEMT 功率开关器件漏电与陷阱效应研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  郝美兰
Adobe PDF(13279Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：658/21  |  提交时间：2018/06/14
GaN HEMT 基础问题研究 学位论文
, 北京: 中国科学院大学, 2016
作者:  何晓光
Adobe PDF(12727Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1053/90  |  提交时间：2016/06/02
Gan  Hemt  2deg  Mocvd  高阻  
窄禁带半导体InAs量子阱的光电性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院研究生院, 2016
作者:  李俊斌
Adobe PDF(4822Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1007/126  |  提交时间：2016/05/30
Inas/gasb异质结  背景载流子  双载流子霍尔模型  非平衡载流子寿命  时间分辨泵浦–探测反射率测量  光螺旋度依赖的光电流