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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Gao, HL;  Zeng, YP;  Wang, BQ;  Zhu, ZP;  Wang, ZG;  Gao, HL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: hlgao@semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Deng, HX;  Jiang, XW;  Luo, JW;  Li, SS;  Xia, JB;  Wang, LW;  Deng, HX, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Superlattices & Microstruct, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: lwwang@lbl.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Jiang, XW;  Deng, HX;  Luo, JW;  Li, SS;  Wang, LW;  Jiang, XW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Natl Lab Superlattices & Microstruct, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: xwjiang@semi.ac.cn;  lwwang@lbl.gov
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang, XH;  Wang, XL;  Feng, C;  Yang, CB;  Wang, BZ;  Ran, JX;  Xiao, HL;  Wang, CM;  Wang, JX;  Wang, XH, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Semicond Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: wxh@mail.semi.ac.cn
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A New Edge-Coupled Two-Terminal Double Heterojunction Phototransistor (ECTT-DHPT) and Its DC Characteristics 会议论文
2008 IEEE PHOTONICSGLOBAL@SINGAPORE (IPGC), Singapore, SINGAPORE, DEC 08-11, 2008
作者:  Wang, LS;  Zhao, LJ;  Pan, JQ;  Zhang, W;  Wang, H;  Liang, S;  Zhu, HL;  Wang, W;  Wang, LS, Chinese Acad Sci, Key Lab Semicond Mat Sci, Inst Semicond, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
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P-i-n/hbt  Wave-guide  Inp/ingaas  Frequency  Hbt  
Fabrication of improved FD SOIMOSFETs for suppressing edge effect 会议论文
2008 9TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED-CIRCUIT TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 20-23, 2008
作者:  Wang, N;  Li, N;  Liu, ZL;  Yu, F;  Li, GH;  Wang, N, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Beijing 100083, Peoples R China.
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Soi  Mosfet  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Li C;  Wu XG;  Li C Chinese Acad Sci SKLSM Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China. E-mail Address: lichao@semi.ac.cn
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