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| 一种用于氮化物半导体材料退火的新型加热衬托 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 王晓亮; 冉军学; 李建平; 胡国新; 王军喜; 曾一平; 李晋闽
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| 半导体材料残余应力的测试装置及方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2006-09-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 陈涌海; 赵玲慧; 曾一平; 李成基
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| 纳米半导体技术 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者: 王占国; 陈涌海; 叶小玲
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| 中国材料工程大典—信息功能材料工程 专著
北京:化学工业出版社, 2006
作者: 王占国; 陈立泉; 屠海令
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Li DL (Li Dong-Lin); Zeng YP (Zeng Yi-Ping); Li, DL, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Novel Mat Lab, Beijing 100083, Peoples R China.
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: Shu Q; Shu YC; Zhang GJ; Liu RB; Yao JH; Pi B; Xing XD; Lin YW; Xu JJ; Wang ZG; Shu, YC, Nankai Univ, Minist Educ, Key Lab Adv Tech & Fabricat Weak Light Nonlinear, Tianjin 300457, Peoples R China. E-mail: shuyc@nankai.edu.cn
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| 宽带隙半导体材料SiC、AlN和ZnO薄膜的研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2006
作者: 杨霏
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 王建伟; 李树深; 夏建白
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 赵有文; 董志远; 魏学成; 段满龙; 李晋闽
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘焕林; 郝瑞亭; 杨宇
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