中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共42条，第1-10条 帮助

限定条件    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
自适应柔性层制备无裂纹硅基Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-28, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  吴洁君;  黎大兵;  陆沅;  韩修训;  李杰民;  王晓辉;  刘祥林;  王占国
Adobe PDF(683Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1682/185  |  提交时间：2009/06/11
一种在硅衬底上生长高质量氮化铝的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-12-14, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  张南红;  王晓亮;  曾一平;  肖红领;  王军喜;  刘宏新;  李晋闽
Adobe PDF(302Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1342/213  |  提交时间：2009/06/11
竖直式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-11-30, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(787Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：966/129  |  提交时间：2009/06/11
湿法腐蚀两步法制备超薄柔性硅衬底的腐蚀工艺 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-11-16, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  孙国胜;  黄风义;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(537Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1308/189  |  提交时间：2009/06/11
制备纳米级超薄硅可协变衬底的可控性腐蚀法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-10-12, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  王晓峰;  曾一平;  黄风义;  王保强;  朱占平
Adobe PDF(449Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1083/173  |  提交时间：2009/06/11
水平式离子注入碳化硅高温退火装置 专利
专利类型: 实用新型, 申请日期: 2005-10-05, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  孙国胜;  王雷;  赵万顺
Adobe PDF(705Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：795/110  |  提交时间：2009/06/11
采用非平面工艺实现硅基二氧化硅波导偏振无关的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-09-21, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  安俊明;  李健;  郜定山;  夏君磊;  李建光;  王红杰;  胡雄伟
Adobe PDF(507Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1311/175  |  提交时间：2009/06/11
高效硅基共振腔增强型探测器器件的制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  李传波;  毛容伟;  左玉华;  成步文;  余金中;  王启明
Adobe PDF(355Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1141/183  |  提交时间：2009/06/11
在硅衬底上生长无裂纹Ⅲ族氮化物薄膜的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-08-10, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  陆沅;  刘祥林;  陆大成;  王晓晖;  王占国
Adobe PDF(461Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1309/212  |  提交时间：2009/06/11
一种新截面形状的绝缘体上硅脊形光波导及其制作方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2005-06-22, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  杨笛
Adobe PDF(392Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1012/148  |  提交时间：2009/06/11