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The diphasic nc-Si/a-Si : H thin film with improved medium-range order 会议论文
JOURNAL OF NON-CRYSTALLINE SOLIDS, 338, Campos do Jordao, BRAZIL, AUG 25-29, 2003
作者:  Zhang S;  Liao X;  Xu Y;  Martins R;  Fortunato E;  Kong G;  Zhang S Chinese Acad Sci Inst Semicond State Key Lab Surface Phys Beijing 100083 Peoples R China. 电子邮箱地址: sz@uninova.pt
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Amorphous-silicon Films  Scattering  Absorption  Densities  Hydrogen  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Hu ZH;  Liao XB;  Diao HW;  Kong GL;  Zeng XB;  Xu YY;  Hu, ZH, Yunnan Natl Univ, Solar Energy Res Inst, Kunming 650092, Peoples R China. 电子邮箱地址: zhhhu@red.semi.ac.cn
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Improved diphasic nc-si/a-si : H I-layer materials using PECVD 会议论文
2004 7TH INTERNATIONAL CONFERENCE ON SOLID-STATE AND INTEGRATED CIRCUITS TECHNOLOGY, Beijing, PEOPLES R CHINA, OCT 18-21, 2004
作者:  Hao, HY;  Zhang, SB;  Xu, YY;  Zeng, XB;  Diao, HW;  Kong, GL;  Liao, XB;  Hao, HY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Condensed Matter Phys, State Lab Surface Phys, Beijing 100083, Peoples R China.
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Open-circuit Voltage  Silicon Solar-cells  Amorphous-silicon  Absorption  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Ramsteiner M;  Jiang DS;  Harris JS;  Ploog KH;  Ramsteiner, M, Paul Drude Inst Festkorperelekt, Hausvogteipl 5-7, D-10117 Berlin, Germany. 电子邮箱地址: mer@pdi-berlin.de
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Liu JP;  Wang YT;  Yang H;  Jiang DS;  Jahn U;  Ploog KH;  Liu, JP, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: jpliu@red.semi.ac.cn
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  赵凤瑷;  张春玲;  王占国
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姜永睿;  胡雄伟;  杨沁清;  王红杰;  杨澜;  郑金红;  谢二庆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  方再利;  苏付海;  马宝珊;  丁琨;  韩和相;  李国华;  苏萌强;  葛惟锟
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  姜永睿;  胡雄伟;  杨沁清;  王红杰;  杨澜;  谢二庆
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  谭平恒;  周霞;  杨富华;  Brunner K;  Bougeard D;  Abstreiter G
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