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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Lu, QY;  Chen, XH;  Guo, WH;  Yu, LJ;  Huang, YZ;  Wang, J;  Luo, Y;  Lu, QY, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, State Key Lab Integrated Optoelect, Beijing 100083, Peoples R China. 电子邮箱地址: luqy@red.semi.ac.cn
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ICP刻蚀技术及其在SOI波导器件制作中的应用 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者:  樊中朝
Adobe PDF(1841Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1268/71  |  提交时间：2009/04/13
Shallow donor defect formation and its influence on semi-insulating indium phosphide after high temperature annealing with long duration 会议论文
SMIC-XIII2004 13th International Conference on Semiconducting & Insulating Materials, Beijing, PEOPLES R CHINA, SEP 20-25, 2004
作者:  Zhao, YW;  Dong, ZY;  Zhang, YH;  Li, CJ;  Zhao, YW, Chinese Acad Sci, Inst Semicond, Ctr Mat Sci, POB 912, Beijing 100083, Peoples R China.
Adobe PDF(230Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1522/312  |  提交时间：2010/03/29
Deep-level Defects  Fe-doped Inp  Grown Inp  Spectroscopy  Resonance  Wafer  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  叶晓军;  朱晓鹏;  徐云;  孙永伟;  侯识华;  种明;  陈良惠
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  陈媛媛;  夏金松;  樊中朝;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  余金中;  陈少武;  夏金松;  王章涛;  樊中朝;  李艳萍;  刘敬伟;  杨笛;  陈媛媛
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  樊中朝;  余金中;  陈少武;  杨笛;  严清峰;  王良臣
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  王章涛;  樊中朝;  夏金松;  陈少武;  余金中
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无权访问的条目 期刊论文
作者:  Wang Zhangtao;  Fan Zhongchao;  Chen Shaowu;  Yu Jinzhong
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