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| 硅基可协变衬底上生长三族氮化物的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-10-20, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张宝顺; 杨辉
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| 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-05-26, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 赵有文
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| 制备低温超薄异质外延用柔性衬底的方法 专利
专利类型: 发明, 申请日期: 2004-03-24, 公开日期: 2009-06-04, 2009-06-11
发明人: 张志成; 杨少延; 黎大兵 ; 陈涌海; 朱勤生; 王占国
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| Si(111)衬底GaN生长及特性研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 陆沅
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| Si（111）衬底上GaN外延层的MOCVD生长与性质研究 学位论文
, 北京: 中国科学院半导体研究所, 2004
作者: 伍墨
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 张宝顺; 伍墨; 陈俊; 沈晓明; 冯淦; 刘建平; 史永生; 段丽宏; 朱建军; 杨辉
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘瑞东; 于丽娟; 芦秀玲; 黄永箴; 张福甲
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 时文华; 李传波; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 黄昌俊; 余金中; 王启明
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| 无权访问的条目 期刊论文
作者: 刘超; 李建平; 孙国胜; 曾一平
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