中文版 | English

在结果中检索

SEMI OpenIR

浏览/检索结果: 共3条，第1-3条 帮助

限定条件                    
已选(0)清除 条数/页：   排序方式：
Growth and fabrication of high performance 980nm strained InGaAs quantum well lasers using novel hybrid material system of InGaAsP and AlGaAs 会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:  Yang GW;  Xu ZT;  Xu JY;  Ma XY;  Zhang JM;  Chen LH;  Yang GW Chinese Acad Sci Inst Semicond Beijing 100083 Peoples R China.
Adobe PDF(356Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1507/382  |  提交时间：2010/10/29
Strained Quantum Well  Semiconductor Lasers  
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Huang YZ;  Huang YZ,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,State Key Lab Integrated Optoelect,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(85Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：762/215  |  提交时间：2010/08/12
无权访问的条目 期刊论文
作者:  Yang GW;  Xu JY;  Xu ZT;  Zhang JM;  Chen LH;  Wang QM;  Yang GW,Chinese Acad Sci,Inst Semicond,POB 912,Beijing 100083,Peoples R China.
Adobe PDF(150Kb)  |  收藏  |  浏览/下载：1029/349  |  提交时间：2010/08/12