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中国科学院半导体研究所机构知识库
Knowledge Management System Of Institute of Semiconductors,CAS
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语种:英语
专题:中国科学院半导体研究所(2009年前)
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High performance 1.55 mu m InGaAsP/InP strained layer quantum well laser diodes fabricated by MOCVD overgrowth method
会议论文
SEMICONDUCTOR LASERS III, 3547, BEIJING, PEOPLES R CHINA, SEP 16-18, 1998
作者:
Ma XY
;
Cao Q
;
Wang ST
;
Guo L
;
Wang ZM
;
Wang LM
;
He GP
;
Yang YL
;
Zhang HQ
;
Zhou XN
;
Chen LH
;
Ma XY Chinese Acad Sci Inst Semicond POB 912 Beijing 100083 Peoples R China.
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提交时间:2010/10/29
Ingaasp
Strained Layer Quantum Well
Laser Diode
Mocvd
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期刊论文
作者:
XU HD
;
ZHANG SH
;
WU H
;
WANG HZ
;
SHI XQ
;
HUANG XM
;
YANG CB
;
CAO XN
;
XU HD ACAD SINICAINST SEMICONDUCTORSPOB 912BEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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提交时间:2010/11/15
无权访问的条目
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作者:
XU HD
;
WANG HZ
;
XUE SQ
;
SHI XQ
;
HUANG XM
;
YANG CB
;
CAO XN
;
XU HD ACAD SINICAINST SEMICONDBEIJING 100083PEOPLES R CHINA
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提交时间:2010/11/15